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SI2307BDS-T1-GE3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI2307BDS-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 3.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 15V 功率 - 最大值：750mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 单二极管/齐纳DL4744A-TP 接线座 - 配件 ATB35SL12 TVS - 变阻器ROV20-151K-2 PMIC - 电池BQ2013HSN-A514G4 RF FETBF545C,215 线性 - 放大器 AD8331ARQ-REEL TVS - 二极管15KPA40A 功率，高于 2 安MJN3C-AC24 同轴，RFFA1-NIRP-PCB-8 圆形MS3450W18-4PW |
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